IXTH 50P085
IXTT 50P085
-150
Fig. 7. Input Adm ittance
40
Fig. 8. Transconductance
-125
-100
-75
-50
T J = -40oC
25oC
125oC
35
30
25
20
15
T J = -40oC
25oC
125oC
10
-25
0
5
0
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-25
-50
-75
-100
-125
-150
-150
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-125
-100
-75
-9
-8
-7
-6
-5
V DS = -50V
I D = -25A
I G = -1mA
-50
-25
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-4
-3
-2
-1
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
0
20
40
60
80
100
120
140
6000
5000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1.00
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
4000
3000
2000
1000
C iss
C oss
0.10
0
C rss
0.01
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
10
100
1000
V D S - Volts
Pulse Width - milliseconds
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